BSB056N10NN3 G參數：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：83A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：74nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5500pF @ 50V功率 - 最大值：78W安裝類型：表面貼裝封裝：3-WDSON供應商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M?
